IRLML5203 Mistoqsijiet Frekwenti

Ħsara f'dan it-transistor: transistors MOS għandhom funzjonijiet differenti f'topoloġiji u ċirkwiti differenti. Pereżempju, f'LLC, il-veloċità tad-dijodu tal-massa hija wkoll fattur importanti li jaffettwa l-affidabbiltà tat-transistors MOS. Minħabba l-fatt li d-dijodi nfushom huma parametri parassitiċi, huwa diffiċli li ssir distinzjoni bejn id-difetti tad-dijodu tas-sors tat-tnixxija u l-ħsarat tal-vultaġġ tas-sors tat-tnixxija. Is-soluzzjoni għall-ħsarat tad-dijodu hija prinċipalment analizzata billi tikkombina maċ-ċirkwit tagħha stess.

Eżempju: L-użu ta 'bord ta' protezzjoni tal-batterija tal-litju bħala swiċċ għall-iċċarġjar u l-ħatt

B'mod ġenerali, MOS huwa fi stat mixgħul jew mitfi, mingħajr ma titqies il-veloċità tal-bidla ta 'MOS, ċirkwit ta' għeluq mgħaġġel huwa ddisinjat fuq iċ-ċirkwit ġenerali.

Oqgħod attent għall-punti li ġejjin:

1. Oqgħod attent għall-vultaġġ DS u ħalli marġni suffiċjenti għad-disinn u l-għażla. Skond BVDDS ta '1.5 darbiet transistor MOS

2. Oqgħod attent għall-kurrent tax-xogħol u l-kurrent ta 'protezzjoni. Il-valur tal-esperjenza huwa 3-4 darbiet jew aktar, li huwa l-ID (DC) ta' MOS.

3. MOSs multipli huma konnessi b'mod parallel, u l-marġni kurrenti għandu jkun kbir kemm jista 'jkun.

4. Il-pjan ta 'użu ta' kurrent għoli għandu jikkunsidra b'mod komprensiv id-dissipazzjoni tas-sħana tal-ippakkjar u r-reżistenza interna.

5. Huwa importanti li tifhem il-vultaġġ tas-sewqan u tipprova żżomm il-MOS jaħdem fi stat kompletament miftuħ. Għal soluzzjonijiet immexxija minn mikrokontrolluri, huwa rakkomandat li tuża MOS bi stat miftuħ baxx kemm jista 'jkun.

Barra minn hekk, meta jintgħażlu transistors MOS, għandha tingħata attenzjoni lit-tip ta 'kanal, BVDDS, kurrent ta' konduzzjoni ID, VGS (th), RDSON u parametri oħra.