X'se jagħmel ħsara lit-transistor?

1, Fatturi fiżiċi
1. Vultaġġ żejjed u kurrent żejjed
Il-vultaġġ żejjed u l-kurrent żejjed huma l-aktar fatturi fiżiċi komuni li jikkawżaw ħsara lit-transistor. Meta l-vultaġġ jew il-kurrent li jinġarr minn transistor jaqbeż il-valur nominali tiegħu, jista 'jikkawża konsegwenzi serji bħal tkissir tal-junction PN, ħruq ta' saff ta 'metallizzazzjoni, jew ksur tal-wajer taċ-ċomb. Il-vultaġġ żejjed jista 'jkun ikkawżat minn fatturi esterni bħal sajjetti, skarigu elettrostatiku, u varjazzjonijiet fil-qawwa, filwaqt li l-kurrent żejjed jista' jkun ikkawżat minn disinn ta 'ċirkwit mhux raġonevoli, ċirkwiti qosra ta' tagħbija, jew tagħbija żejda.
2. Temperatura
It-temperatura għolja hija kawża importanti oħra tat-tixjiħ u l-ħsara tat-transistor. It-transisters jiġġeneraw is-sħana waqt it-tħaddim. Jekk id-dissipazzjoni tas-sħana hija fqira jew it-temperatura ambjentali hija għolja wisq, tista 'twassal għal żieda fit-temperatura interna tat-transistor, li mbagħad taċċellera t-tixjiħ tal-materjal, tnaqqas il-prestazzjoni, u tista' tikkawża tkissir termali. Għall-kuntrarju, ambjenti estremi ta 'temperatura baxxa jista' jkollhom ukoll effetti negattivi fuq transistors, bħal li jaffettwaw il-mobilità tat-trasportatur.
2, Fatturi kimiċi
1. Korrużjoni
Is-saff metallizzat u l-brilli fuq il-wiċċ tat-transistors huma faċilment imsadda minn kimiċi fl-ambjent, bħal gassijiet umdità, aċidu u alkali, sprej tal-melħ, eċċ. Dawn il-kimiċi jistgħu jirreaġixxu mal-metalli, u jikkawżaw korrużjoni, ossidazzjoni, u anke ksur, u b'hekk li jaffettwaw il-prestazzjoni elettrika u s-saħħa mekkanika tat-transisters.
2. Tniġġis
Trab, żejt u sustanzi oħra li jniġġsu fl-arja jistgħu wkoll jaderixxu mal-wiċċ tat-transistors, li jiffurmaw film konduttiv jew saff ta 'insulazzjoni li jfixkel id-dissipazzjoni tas-sħana. Dawn is-sustanzi li jniġġsu mhux biss jaffettwaw l-effett tad-dissipazzjoni tas-sħana tat-transistors, iżda jistgħu wkoll jikkawżaw ħsarat bħal short circuits u tnixxija.
3, Fatturi mekkaniċi
1. Stress mekkaniku
It-transistors jistgħu jkunu soġġetti għal stress mekkaniku waqt l-installazzjoni, it-trasport jew l-użu, bħal vibrazzjoni, impatt, liwi, eċċ. Dawn l-istress mekkaniċi jistgħu jikkawżaw laxkezza, ksur, jew liwi tal-brilli tal-komponenti interni fit-transistors, u b'hekk jaffettwaw il-konnessjonijiet u l-prestazzjoni elettriċi tagħhom. stabbiltà.
2. Ħsara fl-ippakkjar
L-ippakkjar ta 'transistor iservi bħala l-barriera protettiva tiegħu, iżda jista' wkoll ikun bil-ħsara minn fatturi esterni. It-tixjiħ, il-qsim u d-deformazzjoni tal-materjali tal-imballaġġ jistgħu jwasslu għal falliment tal-imballaġġ, li jikkawża li t-transistor jitlef il-protezzjoni u jsir ħsara.
4, Fatturi elettriċi
1. Skarigu elettrostatiku (ESD)
L-iskarigu elettrostatiku huwa wieħed mill-kawżi komuni tal-ħsara tat-transistor. F'ambjenti niexfa, nies, ħwejjeġ, tagħmir, eċċ. jistgħu jġorru elettriku statiku. Meta dawn l-oġġetti bl-elettriku statiku jiġu f'kuntatt mat-transistor, istantanjament jirrilaxxaw ammont kbir ta 'ċarġ, u jikkawża li l-junction PN ġewwa t-transistor tinqasam jew is-saff metallizzat jinħaraq.
2. Interferenza elettromanjetika (EMI)
L-interferenza elettromanjetika jista 'jkollha wkoll effetti negattivi fuq transistors. Kampi elettromanjetiċi qawwija jistgħu jinterferixxu ma 'l-istat normali tax-xogħol tat-transistors, li jwasslu għal distorsjoni tas-sinjal, żieda fil-ħoss, u anke falliment funzjonali.

https://www.trrsemicon.com/transistor/p-channel-enhancement-mode-field-effect.html